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J-GLOBAL ID：200903025424752159
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194866
Publication number (International publication number)：1994021018
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 側壁保護膜が生成してこれを後に除去する必要がある場合も、下地に悪影響(例えばゲート酸化膜へのダメージ)を及ぼさないようにして、生産性や歩留りを高めることができるドライエッチング方法を提供する。【構成】 酸化膜4下地上にポリシリコン層3と高融点金属シリサイド層2とが順次形成されたポリサイド層を該ポリサイド層上に選択的に形成されたレジストパターン1をマスクにエッチングするドライエッチング方法において、レジストパターン1に接する高融点金属シリサイド層2等にアンダカット6を入れた後、高融点金属シリサイド層2とポリシリコン層3を異方性エッチングするドライエッチング方法。
Claim (excerpt)：
酸化膜下地上にポリシリコン層と高融点金属シリサイド層とが順次形成されたポリサイド層を該ポリサイド層上に選択的に形成されたレジストパターンをマスクにエッチングするドライエッチング方法において、前記レジストパターンに接する前記高融点金属シリサイド層にアンダカットを入れた後、前記高融点金属シリサイド層と前記ポリシリコン層を異方性エッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
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