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J-GLOBAL ID：200903025428274693

半導体電子放出素子

Inventor： 右高 正俊 ,  上村 佐四郎
Applicant, Patent owner： 右高 正俊 ,  伊勢電子工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037898
Publication number (International publication number)：1995226148
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体のエネルギー構造を利用して半導体電子放出素子の放出電界の低下・安定化・長寿命化を行い信頼性の向上をはかる。【構成】先端がn+層2で、その下部がn層1もしくはp層もしくはp+層からなる円錐型電子放出部と周辺のゲート電極50から構成され、ゲートから電界を印加することにより下部の高エネルギー電子(ホット電子)をn+層に注入する。注入されたホット電子は、n+半導体の伝導帯(コンダクションバンド)にある電子より高いエネルギーを持つため、ホット電子の実効的な電子アフィニティーは、その分だけ小さくなるので容易に真空中に放出される。

Claim (excerpt)：

電界によってn型半導体から電子を真空中に取り出す電子放出素子において,電子を取り出す部分の電子濃度を他の部分より大きくしたことを特徴とする半導体電子放出素子.