Pat

J-GLOBAL ID：200903025433006885

イオン注入ドーズ量分布測定装置

Inventor： 高見 芳夫
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 倉内 義朗 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019971
Publication number (International publication number)：1997213259
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入された半導体基板のドーズ量(注入量)分布を、注入イオンの活性化処理等を行うことなく、簡単に測定することのできる新規の測定装置を提供する。【解決手段】 線源(RI)から放出された陽電子をコリメートして半導体基板に照射し、その陽電子の半導体基板中での寿命を測定して、その陽電子寿命から半導体基板中の空孔欠陥の量と種類を求めてイオン注入量を推定する。そして、このような陽電子寿命の測定を半導体基板上の各点に対して行うことで、半導体基板の面内のイオン注入量分布を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板に注入されたイオンの注入量の分布を測定する装置であって、陽電子を放出する線源と、この線源から放出された陽電子をコリメートして半導体基板に照射する手段と、照射した陽電子の半導体基板中での寿命を測定する手段と、半導体基板への陽電子の照射位置を移動する手段を備え、半導体基板上の複数の点に陽電子を照射して陽電子寿命を測定し、その各測定結果を半導体基板の面内のイオン注入量分布を求めるための情報として供するように構成されていること特徴とするイオン注入ドーズ量分布測定装置。

IPC (3)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/252 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01J 37/317 C ,  H01J 37/252 Z ,  H01L 21/265 T