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J-GLOBAL ID：200903025434633620

発光ダイオード、ランプおよびその製造方法

Inventor： 竹内 良一 ,  鍋倉 亙 ,  宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000220222
Publication number (International publication number)：2002043621
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】大型の発光素子の発光面内の発光強度の均一性を改善し、輝度を向上させ、さらにワイヤボンドによる配線の工数を減らして組み立てコストを小さくすることができる大型の発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光面の最大幅が0.7mm以上であり、特に発光面の面積が0.25mm2以上である発光ダイオードにおいて、半導体層の光を取り出す発光面の一部に半導体層とオーミック接触をなす分配電極を形成し、さらに前記発光面と前記分配電極とを覆ってその分配電極と導通する透明導電膜を形成し、その透明導電膜の表面の一部に透明導電膜と導通する台座電極と形成する。

Claim (excerpt)：

裏面に第1の電極が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発光部を含む半導体層と、前記半導体層の光を取り出す表面(発光面)の一部に分配して形成され、その半導体層とオーミック接触をなす分配電極と、前記発光面と前記分配電極とを覆って形成され、その分配電極と導通する透明導電膜と、前記透明導電膜の表面の一部に形成され、その透明導電膜と導通する台座電極とを有し、前記発光面の最大幅が0.7mm以上である発光ダイオード。

F-Term (16)：

5F041AA05 ,  5F041AA14 ,  5F041AA21 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041DA07 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-111076
  
• 光電センサーの投光器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-203524   Applicant：株式会社アイセンス
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-077817   Applicant：ローム株式会社