Pat

J-GLOBAL ID：200903025436942832

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

Inventor： 上田 徹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144036
Publication number (International publication number)：1995020488
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光起電力によるリーク電流が小さい表示用TFTと、高移動度でバラツキの少ない駆動用TFTとを備えたアクティブマトリクス基板を生産性よく得る。【構成】 絶縁性基板1上に、表示部20および駆動回路部10が形成されている。駆動回路部10に形成されている駆動用TFTには水素化処理が施され、表示部20に形成されている表示用TFT23には水素化処理が施されていない。このアクティブマトリクス基板は、(1)駆動用TFTの多結晶半導体層上に水素を含む絶縁膜を形成し、基板全体に熱処理を施して絶縁膜中に含まれる水素を駆動用TFTの多結晶半導体層中に拡散させる;または(2)表示部上にマスクを形成し、基板全体を水素を含有するガスの放電中に曝して、該水素を駆動用TFTの多結晶半導体層中に拡散させる:ことにより、製造することができる。

Claim (excerpt)：

基板上の表示部に、マトリクス状に配設された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って相互に交差して設けられたデータ線およびゲート線と、該絵素電極、走査線および信号線にそれぞれ電気的に接続された表示用薄膜トランジスタとが形成され、該基板の表示部以外の部分上に、該表示部を駆動すべく駆動用薄膜トランジスタを有する駆動回路部が形成されたアクティブマトリクス基板において、該表示用薄膜トランジスタおよび該駆動用薄膜トランジスタが、共に多結晶半導体層を有し、該駆動用薄膜トランジスタの多結晶半導体層は水素化処理が施され、該表示用薄膜トランジスタの多結晶半導体層は水素化処理が施されていないアクティブマトリクス基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228576   Applicant：株式会社東芝