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J-GLOBAL ID：200903025446379370

酸化物立方晶系(111)基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の(0001)エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜

Inventor：
武藤 八三

About 武藤 八三

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箕浦 秀樹

About 箕浦 秀樹

, 
中村 俊之

About 中村 俊之


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000256967
Publication number (International publication number)：2002068889
Application date： Aug. 28, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 酸化物立方晶系(111)基板を用いて酸化亜鉛等の六方晶系物質の(0001)エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜を提供する。【解決手段】 パルスレーザ蒸着法やプラズマCVD等の物理的及び化学的成膜法のいずれかにより、立方晶系酸化物の(111)単結晶基板を用いて、酸化亜鉛(ZnO)や三酸化二チタン(Ti2 O3 )等及び他の元素の微量添加により半導体化させたZnOやTi2 O3 等の六方晶系結晶構造を持つ物質の(0001)配向エピタキシャル(単結晶性)薄膜、及びそれら物質の単結晶性多層積層薄膜を同単結晶基板上に作製することを特徴とする単結晶性薄膜及び多層積層薄膜の作製方法と、同法により立方晶系酸化物(111)基板面上に作製したそれら物質の単結晶性薄膜及び多層積層薄膜。
Claim (excerpt)：
物理的及び化学的成膜手段を用いる成膜方法により、立方晶系(111)面上に六方晶系物質の(0001)単結晶性薄膜を作製する方法であって、立方晶系酸化物の(111)単結晶基板を用いて、当該基板上に酸化亜鉛(ZnO)等の六方晶系結晶構造を持つ物質又は必要により他の元素の微量添加により半導体化させた酸化亜鉛等の六方晶系結晶構造を持つ物質を成膜して六方晶系物質の(0001)配向エピタキシャル(単結晶性)薄膜を作製することを特徴とする単結晶性薄膜の作製方法。
IPC (2)：
C30B 29/16 ,  C23C 14/08
FI (2)：
C30B 29/16 ,  C23C 14/08 C
F-Term (27)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BB04 ,  4G077BB07 ,  4G077BB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE22 ,  4G077BE25 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DB16 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077GA03 ,  4G077SA04 ,  4K029AA01 ,  4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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