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J-GLOBAL ID：200903025446478557

スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子

Inventor： 大野 英男 ,  松倉 文▲ヒロ▼
Applicant, Patent owner： 東北大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000061721
Publication number (International publication number)：2001250998
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体中の電子のスピン偏極を生成する方法を提供する。【解決手段】 強磁性半導体から成る層と、前記強磁性半導体とタイプIIのバンド配置を有する非磁性半導体から成る層とを、前記強磁性半導体層の価電子帯の自発的なスピン分裂が、前記非磁性半導体層の伝導帯のスピン分裂を誘発するように設ける。

Claim (excerpt)：

強磁性半導体から成る層と、前記強磁性半導体とタイプIIのバンド配置を有する非磁性半導体から成る層とを、前記強磁性半導体層の価電子帯の自発的なスピン分裂が、前記非磁性半導体層の伝導帯のスピン分裂を誘発するように設ける工程を具えることを特徴とするスピン偏極伝導電子生成方法。