Pat

J-GLOBAL ID：200903025454889655

ダイヤモンド結晶の製造方法

Inventor： 柳生 博之 ,  出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平木 昭夫 ,  伊藤 利道 ,  八田 章光
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217961
Publication number (International publication number)：1997067195
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶性回復処理の効果を多大に促進させ、より残留欠陥密度の低い不純物含有層を有するダイヤモンド結晶を形成することができるダイヤモンド結晶の製造方法を提供することにある。【解決手段】原料ガスとして一酸化炭素1、水素2、水素希釈ジボラン3を用いた。各ガスの流量は質量流量制御器4を用いて制御され、常に一定に保った。合成室となる反応管5は透明石英円筒から成り、その中央部にダイヤモンド結晶を成長させる下地となる基板6を設置した。基板6を設置した後、反応管5内を約0.1Pa以下まで排気したのち、各バルブ7を開いて原料ガスを混合した混合ガス8を導入し、その後、マイクロ波10のエネルギーで導入して、原料ガスをプラズマ状態11にした。このプラズマ状態11を約6時間維持し、基板6上に膜厚約3μmのホウ素含有ダイヤモンド多結晶薄膜を得た。

Claim (excerpt)：

イオン注入法により不純物含有層が形成され、かつ、イオン注入後には不純物含有層の欠陥の除去または回復を行うためのアニーリングが施されるダイヤモンド結晶の製造方法に於いて、イオン注入以前に少なくとも注入不純物含有領域となる領域に、予めホウ素を微量添加したダイヤモンド結晶を用いることを特徴とするダイヤモンド結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/04 B ,  C01B 31/06 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 A