Pat

J-GLOBAL ID：200903025464972208

樹脂封止型半導体装置の製造法

Inventor： 河田 達男 ,  宮林 和彦 ,  堀江 修 ,  幸島 博起 ,  鈴木 宏
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002196
Publication number (International publication number)：1994209024
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 トランスファーモールド工程段階でのインサートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性劣化や耐湿信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置の製造法を提供すること。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さらにエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子を封止する。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さらにエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子を封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造法。

IPC (3)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31