Pat

J-GLOBAL ID：200903025467710700

誘導RF結合を用いたプラズマ加工装置とその方法

Inventor： ケニス エス コリンズ ,  クレイグ エイ ローデリック ,  ジョン アール トロー ,  チャン ロン ヤン ,  ジェリー ユーエン クイ ウォン ,  ジェフリー マークス ,  ピーター アール ケスウィック ,  ディヴィッド ダブリュー グルーシェル ,  ジェイ ディー ピンソン ザ セカンド ,  石川 哲也 ,  ローレンス チュン ライ レイ ,  マサト トシマ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992169619
Publication number (International publication number)：1993206072
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 損傷を与えず、マイクロローディングを用いることもなく敏感な装置を加工でき、歩留まりを上げることができる。【構成】 ドーム型のプラズマ反応装置チャンバー11であり、反応装置のドーム内に電磁結合されたRFエネルギー(LF,MF,VHF)によって駆動されるアンテナ等の装置30を用いる。アンテナはチャンバー内に金属、誘電体、半導体をエッチングするための高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。ウエハ5の支持カソードに印加される補助RFバイアスエネルギーがカソードシース電圧を制御し、また密度にかかわらずイオンエネルギーを制御する。エッチング処理、蒸着処理およびエッチング/蒸着組合せ処理とともにさまざまな磁気および電圧処理向上技術を開示する。

Claim (excerpt)：

a)プラズマ源領域を含む真空チャンバー、b)被加工物をチャンバー内の、プラズマ源領域の外側の位置に支持するようにした被加工物支持部材、c)プロセスガスをプラズマ源領域に供給するためのチャンバー内に取り付けたガスマニホルド、d)RFエネルギーを生成するための第1および第2のRF電源、e)第1のRF電源からのRFエネルギーを前記のプロセスガスからプラズマを形成するようにプラズマ源領域に電磁結合するプラズマ励起手段、f)チャンバー内のプラズマ源領域の外側で前記の被加工物位置の近くに配置され、プラズマからの荷電粒子を引き付けカソード電極に流す電界を生成するように電力源を介してプラズマに電気的に結合されたカソード電極、g)第2のRF電源からのRFエネルギーをチャンバーに容量性結合し、それによってプラズマシースに電圧を確立するためのチャンバー内に取り付けたアノード電極、およびh)チャンバーにけい素イオンを供給するためのけい素源からなることを特徴とする被加工物を加工するためのRFプラズマ加工装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特公昭55-009464
  
• 特開昭63-009120
  
• 特公昭62-007268
  
• 特開昭62-291922
  
• 特開平3-079025