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J-GLOBAL ID：200903025470697324

スパッタリング方法

Inventor： 日野出 憲治 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242930
Publication number (International publication number)：1994093436
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】アスペクト比の高い孔内を、十分良好な埋込特性で埋込み、接続孔部における信頼性を向上させる。【構成】単一の単結晶もしくは最稠密原子配列方向がほぼそろった単結晶の集合体をターゲットとして用い、ターゲットの最稠密原子配列方向の一つに射出された原子のみが基板表面上に到達して堆積されるようにし、他の方向に射出された原子は到達出来ないようにする。

Claim (excerpt)：

真空容器内に配置されたターゲットにイオンを照射して、上記真空容器内に置かれた基板表面の所定領域上に、上記ターゲットを構成する材料を堆積する方法において、上記堆積は、上記ターゲットを構成する原子の最稠密配列方向の一つに射出された原子のみを、上記所定領域に入射させることによって実質的に行なわれ、上記最稠密配列方向の一つ以外の方向に射出された上記原子は、上記所定領域には実質的に入射されないことを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301