Pat

J-GLOBAL ID：200903025475081054

露光方法

Inventor： 井上 壮一 ,  田中 聡 ,  奥村 勝弥
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059570
Publication number (International publication number)：1999260686
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】レジスト中で吸収される光量のレジスト膜厚依存性のばらつきを低減する。【解決手段】LSIパターンが刻まれたフォトマスクを露光光で照明し、フォトマスクを透過した光を投影光学系で被加工基板3に形成されたレジスト膜6にパターン転写する露光方法において、投影光学系2と被加工基板3との間を、投影光学系2の被加工基板に最も近い面を構成する部材の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜6の屈折率よりも小さい屈折率を有するモノブロムナフタレン11で満たしてパターン転写を行う。

Claim (excerpt)：

フォトマスクを露光光で照明し、該フォトマスクを透過した光を投影光学系で被加工基板上に形成されたレジスト膜にパターン転写する露光方法において、前記投影光学系の前記被加工基板に最も近い面と前記被加工基板との間を、空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒質で満たしてパターン転写を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 516 F ,  G03F 7/20 521