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J-GLOBAL ID：200903025490216071

半導体レーザ

Inventor： 沢野 博之 ,  上野 芳康
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005521
Publication number (International publication number)：1997199786
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高温においても低雑音動作可能な半導体レーザを実現する。【解決手段】 レーザ共振器内部に可飽和吸収体を設けた半導体レーザにおいて、半導体層の積層方向における光導波姿態のスポットサイズを0.4μmを越える値とし、光出射端面の前面及び後面に反射率50%以上の高反射膜31及び32を形成する。反射率を高めたことによって、ミラー損失が低減し、60°Cの高温雰囲気下においてもセルフパルセーション動作が得られる。また、スポットサイズが大きいので、高い光出射端面反射でありながらも長期信頼性動作に問題のない高い端面破壊出力レベルが得られる。

Claim (excerpt)：

複数の半導体層が積層され、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が形成された半導体レーザにおいて、前記半導体層の積層方向における光導波姿態のスポットサイズが0.4μmを越え、かつ光出射端面の反射率が50%を越えることを特徴とする半導体レーザ。