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J-GLOBAL ID：200903025494523297

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 上坂 友純 ,  山口 康浩
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017388
Publication number (International publication number)：2002222970
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 容易に製造可能であり、かつ、安価で高品質な光電変換素子及びその製造方法を提供することを目的とする。また、フィルムなどのように可とう性を有し、いかなる形状にも形成可能であり、軽量で携帯性にも優れるような光電変換素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 少なくとも、n型半導体微粒子及び有機p型半導体微粒子を分散させた分散膜から構成される光電変換層30と、光電変換層30を介して対向配置された一対の電極20、30と、からなる光電変換素子であって、一対の電極20、30が、互いに仕事関数が異なり、かつ、少なくとも一方が光透過性を有することを特徴とする光電変換素子、及びその製造方法である。

Claim (excerpt)：

少なくとも、n型半導体微粒子及び有機p型半導体微粒子を分散させた分散膜から構成される光電変換層と、該光電変換層を介して対向配置された一対の電極と、からなる光電変換素子であって、前記一対の電極が、互いに仕事関数が異なり、かつ、少なくとも一方が光透過性を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 51/00 ,  H01M 14/00

FI (3)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 D ,  H01L 29/28

F-Term (7)：

5F051AA12 ,  5F051BA12 ,  5F051DA20 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS19 ,  5H032EE16