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J-GLOBAL ID：200903025526296441

電界効果型半導体装置

Inventor： 正戸 宏幸 ,  太田 順道 ,  田邊 充 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005085
Publication number (International publication number)：1997307100
Application date： Jan. 14, 1997
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 パワーFETの高耐圧化及び高電流密度化を実現する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板51の上にノンドープGaAsバッファ層52、n型GaAsチャネル層53、ノンドープSiCワイドギャップショットキー層54、及びn型SiCワイドギャップオーミックコンタクト層55がMBE法によるエピタキシャル成長によって積層され、さらに、ソース電極56、ドレイン電極57、及びゲート電極58が設けられている。ゲート電極58はワイドギャップ半導体層54とショットキー接合している。ワイドギャップ半導体は結晶内でキャリアの増倍効果が発生する電界強度が高く、絶縁破壊電圧が高いため、最も電界が集中するゲート-ドレイン間のゲート近傍付近に高電界が印加されても、高耐圧が維持される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板の上に形成されているInxGa1-xAs活性層(0≦x≦1)と、該活性層の上に形成されている、少なくともショットキー層を含む積層構造と、を備え、該ショットキー層がワイドギャップ半導体層である、電界効果型半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (4)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 F