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J-GLOBAL ID：200903025543358787

電子線リソグラフィー用基板材料

Inventor： 中谷 功
Applicant, Patent owner： 科学技術庁金属材料技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993342794
Publication number (International publication number)：1995169675
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 VLSI製造用の高分解能電子リソグラフィーにおいて、密集した図形における分解能の限界を100nm以下にして描画することができる電子線リソグラフィー用の基板材料を提供することにある。【構成】 低熱膨張率ガラス板(平均原子番号は約11)等の基板1の片面をダイヤモンドライクグラファイト層(原子番号は6)、あるいはグラファイト層(原子番号は6)等の炭素薄膜9で被覆した基板材料であって、表面に電子線レジスト層3を塗布する直接描画法における電子線リソグラフィー用の基板材料である。あるいはまた、基板1上にクロム、酸化クロム、シリコン、、酸化シリコン、酸化鉄等の薄膜のマスク材料層2を形成した従来型の基板材料の表面にさらに炭素薄膜9を被覆した基板材料であって、表面に電子線レジスト層3を塗布する、間接描画法における電子線リソグラフィー用の基板材料である。

Claim (excerpt)：

表面に電子線レジスト層を被覆する基板もしくはこの基板とマスク材料層からなる電子線リソグラフィー用基板材料において、この基板材料を炭素薄膜で被覆したことを特徴とする電子線リソグラフィー用基板材料。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/09 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-057624
  
• 特開昭54-043681