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J-GLOBAL ID：200903025544035990

半導体装置

Inventor： 小林 栄治 ,  高橋 良治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264799
Publication number (International publication number)：1994120295
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、半導体チップがリードフレームにフェイスダウンの状態で接続支持される半導体装置に関し、この半導体チップからの熱放散性の良い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体チップ1がフェイスダウンの状態でそのバンプ1aを介してリードフレーム2上に接続支持されている。この半導体チップ1の上部の裏面側には複数の凹溝11が形成されている。その結果、半導体チップ1の裏面側は凹溝11によって熱放散面積が増大するため、半導体チップ1がその動作によって熱を発生しても、この熱は容易に外部に放出され、半導体チップ1の温度上昇が抑えられる。

Claim (excerpt)：

半導体チップがフェイスダウンの状態でその電極部を介してリードフレーム上に接続支持されている半導体装置において、前記半導体チップの上部の裏面側に複数の凹溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/34