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J-GLOBAL ID：200903025554760218

EMI低減半導体チップ

Inventor： 熊谷 幸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999111817
Publication number (International publication number)：2000306911
Application date： Apr. 20, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体チップから輻射される不要電磁輻射(EMI)を低減する。【解決手段】ベース部1と多層配線構造により構成された集積回路部2よりなる半導体チップの最上層に、微小金属パターンによる電磁波吸収層4を形成し、半導体チップ外部に輻射される不要電磁輻射を低減させる。

Claim (excerpt)：

多層配線構造を有する半導体チップにおいて、前記半導体チップに、少なくとも1層以上の電磁波吸収層を設けたことを特徴とする半導体チップ。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H05K 9/00

FI (2)：

H01L 21/88 T ,  H05K 9/00 Q

F-Term (10)：

5E321AA22 ,  5E321BB32 ,  5E321CC30 ,  5E321GG11 ,  5F033LL02 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033VV03 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34