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J-GLOBAL ID：200903025555839381

不揮発性半導体メモリおよびその読み出し方法

Inventor： 福▲崎▼ 義樹
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272530
Publication number (International publication number)：1993110112
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 セル面積を大幅に縮小し、大容量の集積化が可能な不揮発性半導体メモリを提供する。【構成】 MNOSキャパシタと、これに隣接して形成されたドレイン領域とからなる素子をメモリセルとしてメモリアレイを構成するとともに、MNOSキャパシタの上部電極であるワードラインに電圧を印加したときのMNOSキャパシタへの充電電流が、書き込みと消去の状態で異なることを利用して情報を読み出して、従来必要であったMNOSトランジスタのソースおよび選択分離用トランジスタを不要にした。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上の所定の位置に形成された薄い酸化シリコン膜と、この酸化シリコン膜上に順次積層された絶縁層および導電層と、前記酸化シリコン膜の一端に隣接して前記半導体基板中に形成された他導電型の拡散領域とを備えた不揮発性半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434