Pat

J-GLOBAL ID：200903025559959799

ウェハ表面周辺部のエッチング方法

Inventor： 八木 秀明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117009
Publication number (International publication number)：2001308060
Application date： Apr. 18, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡便な手法で半導体ウェハ周辺部の堆積膜を高い制御性の下に除去する方法を提供し量産レベルにおいてパーティクル発生を完全に防止する。【解決手段】半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ1をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ2に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ1の裏面側よりエッチング液3を供給する。そして、同時に、複数種の流速の高圧ガスを交互に半導体ウェハ1の表面側に供給する。ここで、前記複数種の流速の高圧ガスは、第1のガス流量5と第2のガス流量6のように一定の周期で流速が変化する。このようにして、半導体ウェハ1裏面の全面と半導体ウェハ1表面の所定の幅の外周域とに存在する堆積膜を選択的にエッチング除去する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的にエッチング除去する方法であって、半導体ウェハをその裏面を上にし水平にしてウェハ保持体に保持し前記ウェハ保持体をスピン回転させ前記半導体ウェハの裏面側よりエッチング液を供給すると共に、複数種の流速の高圧ガスを交互に前記半導体ウェハの表面に供給することを特徴とするウェハ表面周辺部のエッチング方法。

F-Term (5)：

5F043AA26 ,  5F043DD10 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10