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J-GLOBAL ID：200903025564594758

マスクROMの露光データ作成方法

Inventor： 星野 裕美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993295697
Publication number (International publication number)：1995147334
Application date： Nov. 25, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 マージン幅処理や補助パターン処理等の処理を施した露光データを短時間で得ることができるマスクROMの露光データ作成方法を提供する。【構成】 書込まれるROMデータに応じて変化するセルパターンを有するROM部と前記ROMデータに依存しない固定したバルクパターンを有するバルク部とを有するデータ書込みマスクの露光データを作成するマスクROMの露光データ作成方法において、セルパターンを形成するためのセルデータを、パターン間の狭い隙間を埋めるマージン幅処理を行う所定方向に従って並べ換え、並べ換えられたセルデータの順番にしたがってセルパターンを生成する際に、直前のセルデータに基づいて生成されたセルパターンとの間の距離がマージン幅以下であるか否かに基づいてマージン幅処理を行う。

Claim (excerpt)：

書込まれるROMデータに応じて変化するセルパターンを有するROM部と前記ROMデータに依存しない固定したバルクパターンを有するバルク部とを有するデータ書込みマスクの露光データを作成するマスクROMの露光データ作成方法において、前記セルパターンを形成するためのセルデータを、パターン間の狭い隙間を埋めるマージン幅処理を行う所定方向に従って並べ換え、並べ換えられた前記セルデータの順番にしたがってセルパターンを生成する際に、直前のセルデータに基づいて生成されたセルパターンとの間の距離がマージン幅以下であるか否かに基づいて前記マージン幅処理を行うことを特徴とするマスクROMの露光データ作成方法。

IPC (2)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• レイアウトパターン発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-130173   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平2-282864
  
• 特開平1-267549