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J-GLOBAL ID：200903025580310212

半導体装置

Inventor： 前田 就彦 ,  小林 直樹 ,  西田 敏夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998069617
Publication number (International publication number)：1999274474
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】AlXGa1-XN/GaNヘテロ構造を有するHEMTにおいて、ヘテロ構造に付随して生じる大きなピエゾ電界効果をデバイス設計において考慮し、この効果を有効に利用した新しいデバイス構造によって、ヘテロ構造チャネルを有する超高出力・超高耐圧の高速高周波用の化合物半導体よりなる電界効果トランジスタの高性能化をはかる。【解決手段】基板上に作製したAlXGa1-XNからなる基板側の障壁層、GaNもしくはInGaNからなるチャネル層、およびAlXGa1-XNからなる基板表面側の障壁層を含んで構成されるダブルヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、基板表面側の障壁層のAl組成を、基板側の障壁層のAl組成よりも大きく構成した半導体装置とする。また、チャネル層および基板表面側の障壁層の膜厚は格子緩和を生じない範囲とする。

Claim (excerpt)：

基板上に作製したAlXGa1-XNからなる基板側の障壁層、GaNもしくはInGaNからなるチャネル層、およびAlXGa1-XNからなる基板表面側の障壁層を含んで構成されるダブルヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、上記基板表面側の障壁層のAl組成を、上記基板側の障壁層のAl組成よりも大きく構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18