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J-GLOBAL ID：200903025584867173
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134510
Publication number (International publication number)：1993304215
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 多層配線のスルーホールにおいて、配線金属層とSOGとが直接接触することが原因とされる配線金属層での空洞の発生を防止する。【構成】 上側配線金属層8と下側配線層2とを電気接続するためにスルーホール6を開設した層間絶縁膜の一部をSOG膜4で形成している場合に、このSOG膜4を通して開設されたスルーホール6の内側面にサイドウォール7を設け、配線金属層8とSOG膜4とが直接接触することが回避され、配線金属層における空洞の発生を防止する。
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜に設けたスルーホールを通して上側配線金属層と下側配線層とを電気接続する多層配線を備えた半導体装置において、前記層間絶縁膜の一部をSOG膜で形成し、かつこのSOG膜を通して開設されている前記スルーホールの内側面にサイドウォールを設けたことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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