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J-GLOBAL ID：200903025591909515
半導体レーザ装置、その作製方法およびそれを用いた光通信方式
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997052358
Publication number (International publication number)：1998233559
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】選択マスクを利用する選択成長で形成された単一或は複数の垂直共振器型面発光レーザを含む半導体レーザ装置及びその作製方法である。【解決手段】少なくとも1つの垂直共振器型面発光レーザを有する半導体レーザ装置である。垂直共振器型面発光レーザの発光領域2の少なくとも一部が、閉じた形状を持つ選択マスク1の開口部に選択成長によって形成されている。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つの垂直共振器型面発光レーザを有する半導体レーザ装置において、垂直共振器型面発光レーザの発光領域の少なくとも一部が閉じた形状を持つ選択マスクの開口部に選択成長によって形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
