窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998342479
Publication number (International publication number)：2000174333
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系AlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1) 化合物半導体発光素子構造において、発光効率が良く、素子抵抗を抑えた発光素子構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】n-GaNクラッド層と、前記n-GaNクラッド層上に形成されたAlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1)材料からなる活性層と、前記活性層上に形成されたp-GaNクラッド層と、前記p-GaNクラッド層上に形成された接続層と、前記接続層上に形成された導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第一の電極と、前記n-GaNクラッド層上の一部に形成された第二の電極とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

n-GaNクラッド層と、前記n-GaNクラッド層上に形成されたAlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1)材料からなる活性層と、前記活性層上に形成されたp-GaNクラッド層と、前記p-GaNクラッド層上に形成された接続層と、前記接続層上に形成された導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第一の電極と、前記n-GaNクラッド層上の一部に形成された第二の電極と、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041AA21 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041DA18 , 5F041DA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-118073 Applicant：ローム株式会社
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-148470 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体素子及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038118 Applicant：株式会社東芝

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