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J-GLOBAL ID：200903025622931123

薄膜イメージセンサ

Inventor： 安藤 正彦 ,  渡辺 猛志 ,  若木 政利 ,  檜山 郁夫 ,  峯村 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996004140
Publication number (International publication number)：1997199699
Application date： Jan. 12, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高効率で画素間のクロストークがなく、かつ、量産性の高い、X線画像測定用の薄膜イメージセンサを得る。【解決手段】 基板として光ファイバープレート11を用い、光ファイバプレート11の異なる面上に対峙して、薄膜トランジスタ26及びPINダイオードによる光伝導体24と、シンチレーション蛍光体22とを配置して構成される。光伝導体24は、光入射側であるP層217が光ファイバプレート11側になるように配置され、P層217側の透明電極と薄膜トランジスタのドレイン電極とが、P層側透明電極と一体化されたドレイン電極12として同一の材料及びプロセスにより同一平面上に一体に形成される。被写体を透過したX線21は、シンチレーション蛍光体22に入射して長波長光23に変換され、長波長光23が、光ファイバプレート11を介して光伝導体24のP層217に入射し、光伝導体24に光電流を発生させる。この光電流が、外付けの電流計によって測定される。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタ、PIN光ダイオードからなる光伝導体、シンチレーション蛍光体、及び、ガラス基板の積層構造からなるX線画像測定用の薄膜イメージセンサにおいて、ガラス基板として光ファイバプレートを用い、前記光ファイバプレートの異なる面上に、薄膜トランジスタ及びPINダイオードによる光伝導体と、シンチレーション蛍光体とを対峙して配置したことを特徴とする薄膜イメージセンサ。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/32

FI (3)：

H01L 27/14 K ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 C