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J-GLOBAL ID：200903025643416636

集積した低K誘電体層とエッチング停止層

Inventor： クラエス エイチ. ブジョルクマン ,  ユー メリッサ ミン ,  ホンキン シャン ,  デイヴィッド ダブリュー. チェン ,  ウェイ-ファン ヨー ,  ナスリーン ガザラ チョップラ ,  ジェラルド ゼヤオ イン ,  ファルハド モグハダム ,  ジュディ エイチ. フアン ,  デニス ジェイ. ヨスト ,  サム-イー ベティ タン ,  ユンサン キム ,  クオ-ウェイ リュー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000173807
Publication number (International publication number)：2001110789
Application date： Jun. 09, 2000
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】誘電率が低くかつエッチング速度が水平相互接続部を形成するのに少なくとも3:1だけ変化する誘電体層を堆積しエッチングする方法。誘電体層中の炭素又は水素の量は、ダマシン適用におけるエッチング停止層又は従来の誘電体層に置換し得る低k誘電体層を設けるために、堆積条件の変化によって変動する。誘電率が約4よりも低い2以上の誘電体層をもつデュアルダマシン構造は、単一のリアクタ内で堆積を行なうことが可能で、次に、一酸化炭素のような炭素:酸素ガスの濃度を様々に変動させることによって垂直又は水平相互接続部を形成するようにエッチングされる。垂直相互接続部を形成するためのエッチングガスは、好ましくはCO及びフルオロカーボンを含み、水平相互接続部を形成するためのエッチングガスからは、好ましくはCOガスは除外される。

Claim (excerpt)：

金属間誘電体層を堆積及びエッチングする方法であって、誘電率が約4.0未満である第1誘電体層を堆積する工程と、前記第1誘電体層上に誘電率が約4.0未満である第2誘電体層を堆積する工程と、及び前記第2誘電体層のエッチング速度が前記第1誘電体層のエッチング速度の少なくとも約3倍である条件下で前記第2誘電体層をエッチングする工程と、を含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 A