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J-GLOBAL ID：200903025663401236

半導体発光装置

Inventor： 桃井 元 ,  野田 朗
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993157592
Publication number (International publication number)：1995015033
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高出力且つ高応答速度の半導体発光装置、特に光通信用の光源に利用して好適な面発光型LEDを提供する。【構成】 LED100は、半導体基板10の主面の中央部が凹凸形状をなし、その凹凸形状に沿って発光層22を含む半導体多層膜20及び絶縁膜30が順次積層され、その絶縁膜30の開口部30aにオーミック電極40が設けられてなる構造をしている。半導体基板10の裏面には、オーミック電極50及び光取り出し用開口部50aが開けられている。発光層22は、さらに複数の井戸層が積層されてなる多重量子井戸構造になっている。【効果】 発光領域に注入される電流の密度が低くなり、高出力に至るまで電流-光出力特性の直線性がよく、利用可能な発光強度の最大値が大きくなるので、信号の伝送速度の上限をより高くすることができる。従って、高出力且つ高応答速度の何れも満足させることができ、光通信用の光源として好適である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に発光層を有する半導体多層膜よりなる発光領域が形成され、さらにその上にオーミック電極が形成されてなる半導体発光装置において、少なくとも前記発光領域における前記発光層は、複数の凸部又は複数の凹部を有する凹凸状に成形されており、その凹凸状に沿って前記オーミック電極が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。