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J-GLOBAL ID：200903025678404371
半導体装置及びその製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048321
Publication number (International publication number)：1995263449
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半田バンプの接続不良を回避でき、接続強度を向上し、信号電極数を増大しし、且つ素子の許容消費電力を増大し、素子の放熱効率を上げる。【構成】 信号用電極106より電源用電極107を大きく設定した半導体集積回路素子102と配線基板103の電極を行と列において交互に配列後、信号用電極106と電源用電極107はそれぞれ半田バンプ(1)104と半田バンプ(2)105によって接続する。半田バンプの単位面積当たりの体積を、小電極である信号用電極におけるものより、大電極である電源用電極におけるものより少なくする。これにより、ウエットバックの実行後に両者の電極における半田バンプの高さをほぼ等しくする。
Claim (excerpt)：
複数の信号用電極と、該複数の信号用電極より大きい複数の電源用電極を有する半導体集積回路素子と、前記複数の信号用電極および複数の電源用電極とにそれぞれに整合する複数の信号用電極および複数の電源用電極を有する配線基板と、前記半導体集積回路素子の複数の信号用電極と前記基板の複数の信号用電極とを接続する複数の第1の半田バンプと、前記半導体集積回路素子の複数の電源用電極と前記基板の複数の電源用電極とを接する複数の第2の半田バンプとを有し、前記配線基板の各信号用電極の面積当たりの第1の半田バンプの体積より、前記配線基板の各電源用電極の面積当たりの第2の半田バンプの体積が少ない半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
