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J-GLOBAL ID：200903025688166215

炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法

Inventor： 荒木 弘 ,  楊 文 ,  胡 全利 ,  鈴木 裕 ,  野田 哲二
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003085571
Publication number (International publication number)：2004292222
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】簡便な方法で長さと直径が大きい炭化ケイ素(SiC)ナノワイヤーを製造する。【解決手段】クロロシランをキャリアーガスとともに1〜100Torrの減圧気流中で温度900〜1300°Cに加熱する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

クロロシランを1〜100Torrの範囲の減圧雰囲気下、キャリアーガス気流中、900°C以上1300°C以下の温度範囲に加熱することを特徴とする炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法。

IPC (2)：

C01B31/36 ,  D01F9/10

FI (3)：

C01B31/36 601J ,  C01B31/36 601Y ,  D01F9/10 A

F-Term (11)：

4G146MA15 ,  4G146MB09 ,  4G146MB23 ,  4L037CS29 ,  4L037FA02 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA15 ,  4L037PA28 ,  4L037UA20