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J-GLOBAL ID：200903025696761440

ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法

Inventor： 平竹 潤 ,  坂田 完三 ,  韓 立友
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学
Agent (1)： 山田 義人
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2006324412
Publication number (International publication number)：WO2007066705
Application date： Nov. 30, 2006
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

一般式(1)(式中、R1およびR2の少なくともいずれか一方が脱離基を表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体である。

Claim (excerpt)：

一般式(1)

IPC (2)：

C07F 9/40 ,  C07F 9/656

FI (2)：

C07F9/40 D ,  C07F9/6561

F-Term (8)：

4H039CA52 ,  4H039CD30 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB20 ,  4H050AC80 ,  4H050WA15 ,  4H050WA23