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J-GLOBAL ID：200903025701712917

半導体像強化装置

Inventor：
ヤロスラブ ハイネセック

About ヤロスラブ ハイネセック


Applicant, Patent owner：
イゼテックス、インコーポレイテッド

About イゼテックス、インコーポレイテッド


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000259520
Publication number (International publication number)：2001127277
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 暗電流雑音に対する改良された防止効果を与える固体キャリア増倍段とその方法、及びその増倍段を組み込んだセンサを提供すること。【解決手段】 空乏化された半導体容積(例えば光センサの電荷集積区域)内に全体が存在する高電界区域を通る通路がなだれ無しに単一段、衝撃イオン化を与えるのに使用される電荷増幅装置にして、前記高電界区域を前記移動キャリアの領域から隔離して暗電流雑音の発生を最小にした前記電荷増幅装置並びにそれを組み込んだセンサ、及び格納ウエルの電荷を増倍する方法にして、電荷増倍ゲート電極の下方に増倍ウエルを設け、電荷が格納ウエルから増倍ウエルに転送される間に高電界を受けて単一段、衝撃イオン化により追加の電荷を発生し、追加の電荷を最初の電荷に付加して増倍電荷を形成する、ようにした前記方法。
Claim (excerpt)：
感光性区域;少なくとも1部前記感光区域を限定するチャネル・ストッパ;少なくとも1部前記感光性区域内に存在する高電界キャリア増倍区域;を備え、前記キャリア増倍区域が何処においても前記チャネル・ストッパの上方に存在しないようになった、固体像強化装置。
IPC (4)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/107 ,  H04N 5/335
FI (5)：
H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • CCDイメージャ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066486   Applicant：イーイーヴィリミテッド
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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