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J-GLOBAL ID：200903025704212117

半導体放射線検出器およびその製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫 ,  池亀 峰秋
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058282
Publication number (International publication number)：1995169989
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体放射線検出素子の電極への接続に関し、検出器の特性を劣化させることなく、簡便なプロセスにて接続できる信頼性の高い接続構造を提供する【構成】(a)放射線が入射される化合物半導体と、(b)前記化合物半導体の対向する2面にそれぞれ設けられた一対の電極と、(c)少なくとも前記一方の電極の縁部に隣接して設けられ、実質的に剛体である電極取り出し部と、(d)前記化合物半導体および前記電極取り出し部が固定されている基体部と、(e)前記一方の電極と前記電極取り出し部の間を直接に接続する導電性接着剤とを含むものである。

Claim (excerpt)：

(a)放射線が入射される化合物半導体と、(b)前記化合物半導体の対向する2面にそれぞれ設けられた一対の電極と、(c)少なくとも前記一方の電極の縁部に隣接して設けられ、実質的に剛体である電極取り出し部と、(d)前記化合物半導体および前記電極取り出し部が固定されている基体部と、(e)前記一方の電極と前記電極取り出し部の間を直接に接続する導電性接着剤とを含むことを特徴とする半導体放射線検出器。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-052273
  
• 導波路型受光モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-345126   Applicant：日本電気株式会社