磁気抵抗素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995116948
Publication number (International publication number)：1996316548
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】室温における抵抗変化率(ΔR/R)が10%以上であって弱磁場における感度が良好で、出力波形を方形波に波形整形する必要がない。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造及び回路構成が簡単で小型化し得る。【構成】 2つの強磁性薄膜11及び12を薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はともに膜面内に磁気異方性を有さず、薄膜11の保磁力が薄膜12の保磁力より、好ましくは2倍を越えない程度に大きく、薄膜11及び薄膜12の各磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はともに膜面内に磁気異方性を有さず、前記第1強磁性薄膜(11)の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の保磁力より大きく、前記第1強磁性薄膜(11)及び前記第2強磁性薄膜(12)のそれぞれの磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H02K 29/14

FI (4)：

H01L 43/08 M , H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H02K 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205393 Applicant：三菱マテリアル株式会社
磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205394 Applicant：三菱マテリアル株式会社
磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186807 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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