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J-GLOBAL ID：200903025724992011

半導体基板の製造方法

Inventor： 小林 和美
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279396
Publication number (International publication number)：1993121414
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】レーザ照射時にシリコン半導体基板内部に生ずる熱応力を緩和させ、シリコン半導体基板の塑性変形や破壊を抑制する。【構成】シリコン半導体基板1の製造工程において、レーザ照射を行う際、200〜900°Cの温度範囲に保温されているシリコン半導体基板上にレーザを照射する。【効果】レーザ照射により加熱される表面領域とシリコン半導体基板内部との温度差を小さくすることによって、熱応力が低減できる。レーザ照射によって生ずる反りやスリップ、転位の発生を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶による半導体基板の一主面にレーザを照射する工程を有する半導体基板の製造方法において、前記半導体基板を200〜900°Cの温度範囲に保温して該半導体基板の一主面にレーザを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-136334
  
• 特開平2-148735
  
• 特開平1-152718