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J-GLOBAL ID：200903025729349907
微結晶シリコン膜の形成方法、光起電力素子、および半導体薄膜の形成装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998033455
Publication number (International publication number)：1999233443
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光起電力素子に用いるi型微結晶シリコン層形成時の放電の安定性の向上、ひいては形成膜の品質制御性の向上を図る。【解決手段】 少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する方法であって、高周波電極206に生じるセルフバイアス電圧を読み出し、その電圧値に基づいて投入する高周波電力を調整する。
Claim (excerpt)：
少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する微結晶シリコン膜の形成方法において、高周波電極に生じるセルフバイアス電圧を読み出し、その電圧値に基づいて投入する高周波電力を調整することを特徴とする微結晶シリコン膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
