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J-GLOBAL ID：200903025735672426

半導体装置の製造方法

Inventor： 国分 崇
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992179988
Publication number (International publication number)：1994029252
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【構成】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記エッチングガスのCHF3に添加ガスとして一般式がCXOY、あるいはCXHYOZ、あるいはCXHYで表わされるガスを用いることを特徴とする。【効果】添加ガスに一般式でCXOY、あるいはCXHYOZ、あるいはCXHYで表わされるガスを用いることで、側壁保護膜の-(C-H2)n-または、-(C-F2)n-のポリマーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止することができる。また、Cを含むガスを添加することになるため、酸素の結合は安定なC-O結合を生成し、エッチングを抑制するSi-O結合をできにくくするため酸化膜のエッチングが促進される。

Claim (excerpt)：

反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記エッチングガスはCHF3が主ガスであり、一般式がCXOYで表わされるガスを添加ガスとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。