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J-GLOBAL ID：200903025736238711

半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor： 竹内 辰也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993060596
Publication number (International publication number)：1994275911
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Feドープの高抵抗(率)埋込み層を有するIII-V族化合物半導体レーザ装置に関し、メサ側面を十分な高抵抗埋込み層で埋込んだ半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 (100)面III-V族化合物半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを含む。

Claim (excerpt)：

(100)面III-V族化合物半導体基板(11a)上にメサストライプ(10a)を形成する工程と、前記メサストライプ(10a)側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層(1、2、3、6)で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法。