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J-GLOBAL ID：200903025738658432
磁気メモリおよびその記録方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000090495
Publication number (International publication number)：2001273760
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリにおいて、該素子の片側あるいは両側に電流線を配置すると、素子の高集積化が困難である。【解決手段】 電流線12、16の上部あるいは下部に高透磁率材料からなる層11、17を設け、最隣接の素子の上下部に配置している電流線によりクロスポイントの素子へ記録を行う。
Claim (excerpt)：
少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリであって、前記磁気抵抗効果素子に情報を記録するための電流線に高透磁率材料からなる層を積層し、前記電流線を前記磁気抵抗効果素子の上下平面に配置したことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (3)：
G11C 11/15
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08
G11C 11/15
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA37
