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J-GLOBAL ID：200903025739734434

ジルコン酸チタン酸鉛薄膜の製造方法

Inventor： 渡部 浩司 ,  磯辺 千春 ,  別所 和宏 ,  田中 栄次 ,  田中 均洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324740
Publication number (International publication number)：1995309626
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ゾル-ゲル法によるPZT薄膜の製造方法において、取扱いが容易で安定性が高い原料ゾル溶液の出発原材料を見いだすとともに、PZT薄膜の結晶配向性を制御することを目的とする。【構成】 (111)軸方向に配向した白金基板上に、酢酸鉛、テトライソプロポキシチタン及びテトラプロポキシジルコニウムを2-メトキシエタノールに溶解してなる原料ゾル溶液を塗布し所定の乾燥温度にて乾燥させた後、熱処理を施してPZT薄膜を得る。ここでPZT薄膜は、乾燥温度が150°C〜250°Cの場合、(100)軸方向に配向し、250°C〜350°Cの場合、特定な配向性を有さず、350°C〜450°Cの場合、(111)軸方向に配向する。このとき、白金基板の表面ラフネスを10nm以下、原料ゾル溶液の濃度を0.25mol/l以下とすることにより、より強く配向性を持たせることができる。

Claim (excerpt)：

(111)軸方向に配向した白金基板上に、酢酸鉛、テトライソプロポキシチタン、テトラプロポキシジルコニウムを2-メトキシエタノールに溶解してなる原料ゾル溶液を塗布した後、150°C〜450°Cで乾燥し、その後、550°C〜750°Cで熱処理して結晶化することを特徴とするジルコン酸チタン酸鉛薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01G 25/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301