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J-GLOBAL ID：200903025796848209

半導体装置

Inventor： 小田 雄二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999195297
Publication number (International publication number)：2001024118
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 熱抵抗の低い半導体装置を提供すること。【解決手段】 回路基板11と、動作時に発熱するFET16が一部に形成され、回路基板11上に配置される半導体チップ12とを具備した半導体装置において、半導体チップ12上に設けられた複数の金属バンプ17a、17b、17cと、この複数の金属バンプ17a、17b、17c上に設けられたダイヤモンドチップ18とを有している。

Claim (excerpt)：

回路基板と、動作時に発熱する発熱素子が一部に形成され、前記回路基板上に配置される半導体チップとを具備した半導体装置において、前記半導体チップ上に設けられた複数の導電性部材と、この複数の導電性部材上に設けられたダイヤモンドチップとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/36

FI (2)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 D

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD16