Pat
J-GLOBAL ID:200903025798782701
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003314218
Publication number (International publication number):2005084239
Application date: Sep. 05, 2003
Publication date: Mar. 31, 2005
Summary:
【課題】 現像欠陥の発生を抑制したポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び(D)少なくとも一つのフッ素原子を有する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
(A)ポリマー骨格の主鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度が増大するフッ素含有樹脂、
(B)活性光線の照射により酸を発生する化合物、及び、
(C)少なくとも一つのフッ素原子を有する化合物
を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (8):
G03F7/039
, C08F212/14
, C08F214/18
, C08F216/14
, C08F220/28
, C08F232/08
, G03F7/004
, H01L21/027
FI (8):
G03F7/039 601
, C08F212/14
, C08F214/18
, C08F216/14
, C08F220/28
, C08F232/08
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
F-Term (44):
2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AB07Q
, 4J100AB07R
, 4J100AC26P
, 4J100AC27P
, 4J100AD07R
, 4J100AE09Q
, 4J100AL03Q
, 4J100AL03R
, 4J100AL09R
, 4J100AL24R
, 4J100AL26Q
, 4J100AL26R
, 4J100AL26S
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100AR11S
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA04Q
, 4J100BA04R
, 4J100BA22Q
, 4J100BA22R
, 4J100BB11Q
, 4J100BB11S
, 4J100BB18Q
, 4J100BB18R
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
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