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J-GLOBAL ID：200903025799002351

プラズマ処理装置

Inventor： 山上 敦士 ,  岡村 信行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992079803
Publication number (International publication number)：1993279859
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 減圧可能な真空容器と、該真空容器内に配され該真空容器とは絶縁された電極と、前記電極と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電極の近傍に配されたアースシールドと、を有し、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を配したことを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】 電極(カソード)とアースシールド間での高周波電力の損失を減少することができる。ショート発生を防止でき信頼性を向上することができる。

Claim (excerpt)：

減圧可能な真空容器と、該真空容器内に配され該真空容器とは絶縁された電極と、該電極に対向して配された被処理基体を支持する支持台と、前記電極と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電極の近傍に配されたアースシールドと、前記真空容器内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段と、を有し、前記電極に電力を供給して該電極と前記支持台との間にプラズマを発生させ、該プラズマにより前記被処理基体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を配したことを特徴とするプラズマ処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-075356
  
• 特開昭57-060073
  
• 特開昭63-192866
  
• 特開昭60-204880
  
• 特開平2-267274