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J-GLOBAL ID：200903025806436648

光電変換素子

Inventor： 中西 健 ,  福山 恵一 ,  伊藤 学
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 高野 明近 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997082847
Publication number (International publication number)：1998284743
Application date： Apr. 01, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 透明導電膜を用いる光電変換素子において、キャリアロスを低減し、短絡電源密度を上げ、開放電圧を向上させて十分変換効率の高い当該素子を提供する。【解決手段】 ガラス基板1と裏面反射電極層7との間の積層される光電変換素子のpin層3,4及び5のp層3と接する側の電極2をp型透明導電膜とし、光電変換層のp層3を薄膜化あるいは電極2と兼用することにより省略し得る。p型透明導電膜2は金属酸化物であり、その金属は1価の銀、1価の銅、1価の金、1価のタリウム、2価の鉛、3価のビスマス、1価のインジウム、2価の錫、3価のアンチモンの中少なくとも二つ以上を含むものとする。

Claim (excerpt)：

p型半導体層、i型半導体層、n型半導体層及び電極を具備する光電変換素子において、前記p型半導体層と接する側の電極としてp型半導体を用いるようにしたことを特徴としてなる光電変換素子。