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J-GLOBAL ID：200903025807745563
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995107902
Publication number (International publication number)：1996279600
Application date： Apr. 07, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 メモリセルセルアレイの何れの部分においても均一な幅のパターンを形成する。【構成】 複数のメモリセルアレイ13の各々の外周部にダミーパターン12が設けられている。このため、メモリセルアレイ13のうちで他のメモリセルアレイ13と隣接していない外周部近傍におけるパターン16とそれ以外の部分におけるパターン16とでレジストの膜厚に差が生じないのみならず、他のメモリセルアレイ13と隣接している外周部近傍におけるパターン16とそれ以外の部分におけるパターン16とでもパターン間近接効果に差が生じない。
Claim (excerpt)：
メモリセルアレイに設けられているパターンのうちで複数の前記メモリセルアレイの各々の外周部における前記パターンが、メモリセルを構成していないダミーパターンであることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/10 471
H01L 27/10 681 E
, H01L 27/10 471
