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J-GLOBAL ID：200903025822396206

CVD装置を用いたTiN膜の形成方法

Inventor： ド・ヒョン・キム
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162426
Publication number (International publication number)：1998068078
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、TDMATとTDEATの中間程度の性質を有するTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用いて、多様なCVD法を用いたTiN膜の形成方法を提供する。【解決手段】 CVD装置の反応室内に基板を入れ、ソースとしてTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用意し、そのソースに気化用ガスを投入して前記ソースを気体状態にし、それを前記チェンバー内に供給し、CVD用ガスを前記チェンバー内に供給して前記基板上にTiN膜を蒸着する。

Claim (excerpt)：

CVD装置の反応室に基板を入れる段階;ソースとしてTMEAT(Ti[N(CH3C2H5)]4)を用意する段階;前記ソースに気化用ガスを投入して前記ソースを気体状態にし、これを前記チェンバー内に供給する段階;CVD用ガスを前記チェンバー内に供給して前記基板上にTiN膜を蒸着する段階;を有することを特徴とするCVD装置を用いたTiN膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマCVD方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-139765   Applicant：ソニー株式会社