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J-GLOBAL ID：200903025823285297

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 池田 武信 ,  田所 昌洋 ,  伊澤 勝 ,  湯之上 隆
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009153880
Publication number (International publication number)：2009267432
Application date： Jun. 29, 2009
Publication date： Nov. 12, 2009
Summary：

【課題】高アスペクト比の孔または溝を穿孔する。【解決手段】酸化シリコンからなる絶縁膜1に対して、C5F8、O2およびArのエッチングガスを用いプラズマエッチング処理を施し、絶縁膜1を選択的にエッチングすることにより、絶縁膜1に孔3を穿孔する際に、最初は、ポリマー層のデポジション性が弱い条件でエッチング処理を行い、続いてポリマー層のデポジション性が強い条件に切り換えてエッチング処理を行うようにした。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

半導体基板上に堆積された酸化シリコン系の絶縁膜に対して、フロロカーボン系のガス及び酸素を有するエッチングガスを用いてプラズマエッチング処理を施すことにより、前記酸化シリコン系の絶縁膜を選択的にエッチング加工し前記絶縁膜に所定の孔または溝を形成する際に、ポリマー層のデポジション性が弱い条件で前記所定の孔または溝の深さの略半分よりも浅い深さまでエッチング処理を行う第1ステップと、 ポリマー層のデポジション性が前記第1ステップ時よりも強い条件で前記第1ステップに続けてエッチング処理を行う第2ステップと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (4)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C ,  H01L27/10 621C

F-Term (79)：

4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD78 ,  4M104DD92 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083BS00 ,  5F083EP00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-008438   Applicant：三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-105281   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置のコンタクトホールエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094054   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置のコンタクト形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325550   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-324716   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-264916   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-213722   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-377510   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社, 科学技術振興事業団
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-265238   Applicant：エルピーダメモリ株式会社