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J-GLOBAL ID：200903025826310640
半導体の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268392
Publication number (International publication number)：1995106267
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 結晶構造(例えばダイアモンド構造)の破壊のおそれなく、各種半導体に容易にn型ドーピングを行うことができ、また高濃度のn型ドーピングも可能とする半導体製造技術を提供する。【構成】 ダイアモンド半導体等の半導体の製造方法において、拡散層を例えばB10を多く含む硼素により形成IIIした後、該拡散層に中性子を照射し、該拡散層の不純物原子を例えばリチウムに変換IVさせて拡散層を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体の製造方法において、拡散層を形成した後、該拡散層に中性子を照射し、該拡散層の不純物原子を変換させて拡散層を形成することを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/22
, C30B 29/04
, H01L 21/261
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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