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J-GLOBAL ID:200903025835565430
電子部品
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001197396
Publication number (International publication number):2003017680
Application date: Jun. 28, 2001
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】高周波電流の供給に伴う表皮効果を緩和するようにして、半導体素子のデバイス領域全体に一様な電流を流せるようにする。【解決手段】第1の半導体層102は、8個の扇状の島116に分離された形状を有し、各島116の表面には、選択的に酸化膜118が形成されている。この場合、扇状の外側半分に酸化膜118が形成された島116と、扇状の内側半分に酸化膜118が形成された島116とが互いに隣接する関係となるように配置されている。この第1の半導体層102の裏面にも多数の酸化膜122が選択的に形成されており、該第1の半導体層102の表面に形成された8つの酸化膜118と、該第1の半導体層102の裏面に形成された8つの酸化膜122とが平面的にほぼ一致しない位置関係となっている。これにより、第1の半導体層102の表面における電気的接触部分120と裏面における電気的接触部分124とが互い違いに配列された形態となる。
Claim (excerpt):
半導体を含む電子部品本体の少なくとも片側に電極を有する電子部品において、前記電極は、半導体層と金属薄膜との積層構造とされ、少なくとも1つの半導体層における一方の面と外部との1以上の電気的接触部分と、前記半導体層における他方の面と金属薄膜との1以上の電気的接触部分とが平面的にずれた位置関係にあることを特徴とする電子部品。
IPC (2):
FI (2):
H01L 29/74 J
, H01L 29/50 T
F-Term (7):
4M104BB02
, 4M104GG18
, 5F005AD01
, 5F005BA01
, 5F005GA01
, 5F005GA02
, 5F005GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-244147
Applicant:松下電器産業株式会社
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圧接形半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-336214
Applicant:東洋電機製造株式会社
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