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J-GLOBAL ID：200903025838769592

垂直積層型導波路デバイス、及びそのポーリング方法、その駆動方法、並びに導波路モジュール

Inventor：
ローシャン タプリヤ

About ローシャン タプリヤ

, 
中村 滋年

About 中村 滋年

, 
菊地 崇

About 菊地 崇


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005055872
Publication number (International publication number)：2006243145
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 EO効果の効率が高く、駆動電圧を低減することができる垂直積層型導波路デバイス及びそのポーリング方法、駆動方法を提供する。【解決手段】 基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイスである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、 前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、 前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイス。
IPC (3)：
G02F 1/065 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122
FI (3)：
G02F1/065 ,  G02B6/12 J ,  G02B6/12 A
F-Term (48)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079DA07 ,  2H079EA04 ,  2H079EB04 ,  2H079HA12 ,  2H079JA00 ,  2H147AB02 ,  2H147AB36 ,  2H147AC01 ,  2H147BA05 ,  2H147BE01 ,  2H147BE13 ,  2H147BE15 ,  2H147BG17 ,  2H147CD11 ,  2H147DA08 ,  2H147DA09 ,  2H147EA10C ,  2H147EA12C ,  2H147EA13C ,  2H147EA14C ,  2H147EA16A ,  2H147EA16B ,  2H147EA16C ,  2H147EA16D ,  2H147EA17B ,  2H147EA17C ,  2H147EA17D ,  2H147EA18B ,  2H147EA19B ,  2H147EA19C ,  2H147EA19D ,  2H147EA20B ,  2H147FA03 ,  2H147FA04 ,  2H147FA05 ,  2H147FA06 ,  2H147FA07 ,  2H147FA08 ,  2H147FA09 ,  2H147FA18 ,  2H147FC05 ,  2H147FD11 ,  2H147FE02 ,  2H147FF01 ,  2H147GA16 ,  2H147GA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許明細書6009218
  • 米国特許明細書6385376
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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